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삼성그룹 2대 회장이 된 이건희 [삼성 #18]

by 세상의모든지식 2022. 2. 8.
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1984년 8월부터 삼성전자는 64K D램을 본격적으로 출하하기 시작했습니다.

그런데, 미국의 마이크론 등 선진 반도체 회사는 256K D램을 출시했고 삼성을 의식하며 64K D램의 가격을 확 낮춰버렸습니다.

결국 삼성전자 반도체사업부는 수년간 무려 1,200억 원의 적자를 내게 되었습니다.

병철은 반도체 산업에 뛰어들면서 이미 각오했던 일이기에 담담히 다음 개발을 진행했다고 합니다.

그렇게 1984년 10월에 256K D램 양산에 성공했으며 1986년 7월에는 1M D램을 설계부터 모든 공정까지 독자기술로 개발하게 됩니다.

이 무렵 병철은 더이상 일을 할 수 있는 건강상태가 아니었습니다. 1976년에 위암 수술, 1979년에 뇌수술을 받았던 그는 1986년부터는 집에서 요양하며 손주들을 돌봤다고 하는데, 그래서 많은 업무가 건희 중심으로 돌아가기 시작했습니다.

1986년은 삼성, 현대, 금성이 4M D램을 공동 개발하기 시작한 해였습니다. 하지만, 실제로는 각 기업이 별도로 개발을 진행했다고 합니다.

반도체는 웨이퍼라는 원판 위에 트랜지스터, 다이오드, 저항 등의 많은 소자를 쌓아서 만듭니다.

1M D램까지는 웨이퍼에 단층으로 칩을 쌓아서 제작이 가능했지만, 4M D램때부터는 반도체 용량이 커지며 단층으로만 쌓는 것이 물리적으로 불가능한 상황에 놓이게 됩니다.

그래서 4M D램 개발을 위해서는 2가지 제작 방식중 선택을 해야 했습니다.

웨이퍼 표면을 아래로 파고 내려가서 집적도를 높이는 트렌치 공법과, 웨이퍼 표면에 새로운 층을 쌓아 집적도를 높이는 스택 공법.

이 두 가지 공법은 각각의 장단점이 있었습니다. 트렌치 공법은 안전하기는 하지만 밑으로 파낼수록 회로가 보이지 않아서 공정이 까다롭고 경제성이 떨어졌으며 스택 공법은 작업이 쉽고 경제성이 있지만 품질을 확보하는 것이 어려운 상황이었습니다.

건희는 개발 방식의 선택을 위해 전자공학 박사 두 명을 불러 두 공법에 차이에 대해 물었다고 합니다.

“트렌치 공법은 하자가 발생하면 속수무책이지만, 스택은 아파트처럼 위로 쌓기 때문에 그 속을 볼 수 있습니다.

한마디로 트렌치는 검증할 수 없지만, 스택은 검증이 가능합니다. 이 점이 핵심 차이입니다.” 

이 얘기를 건희에게 전한 이들은 권오현 박사와 진대제 박사였습니다.

참고로 권오현 박사는 2018년 3월부터 2020년 1월까지 삼성전자 회장을 지내고 현재 삼성전자 고문으로 있는 인물이며 진대제 박사는 노무현 정부 당시 제9대 정보통신부 장관을 지내고 현재 한국블록체인협회 회장을 지내고 있습니다.

어쨌든 건희는 이들의 얘기를 듣고 깊은 고민에 빠졌습니다.

그런데, 대부분의 미국과 일본의 기업들은 스택공법보다 트렌치 공법을 선택했으며 우리나라의 현대전자도 트렌치 공법을 택했습니다. 하지만 건희는 위로 쌓는 방식인 스택 방식을 선택하게 됩니다. 문제가 생기더라도 쉽게 고칠 수 있을 것이라 판단해서였습니다.

그렇게 삼성전자는 스택 공법으로 4M D램 개발을 시작했습니다.

그러던 1987년 11월 19일, 삼성그룹 1대 회장 병철이 폐암으로 세상을 떠나게 됩니다.

그리고 1987년 12월 1일, 병철의 셋째 아들 건희는 46살의 나이로 삼성그룹의 2대 회장이 됩니다.

건희는 취임식에서 “삼성을 초일류 기업으로 성장시킬 것입니다.”라며 강한 의지를 밝혔습니다.

1988년 2월, 삼성전자는 스택 공법을 이용한 4M D램 개발에 성공하며 반도체 선두업체와의 격차를 상당히 좁힐 수 있었습니다.

1988년 3월 22일, 삼성상회가 세워지며 시작된 삼성의 50주년 기념식이 열렸습니다. 이날 건희는 이렇게 말합니다.

“본인은 거대한 생명체 위대한 내일을 약속하는 제2창업을 엄숙히 선언합니다.” 이것을 제2 창업 선언이라고 합니다.

그리고 건희는 자신의 생각대로 삼성그룹의 사업구조를 재편하기 시작합니다. 연관성이 있었던 가전, 반도체, 휴대폰 계열사 등을 삼성전자로 한데 묶은 통합 삼성전자가 출범한 것이었습니다. 

또한 우주산업과 유전공학 등 새로운 사업 진출 의지도 밝혔습니다.

1988년, 4메가 D램을 개발한 삼성전자는 스택 공법으로 결정한 것에 대한 성적표를 받았습니다. 전년 대비 무려 176%나 성장하며 매출액 6천7백억 원, 누적적자를 제한 순이익이 1,600억 원에 이를 만큼 성장했던 겁니다.

그리고 1990년 8월, 세계 선두 업체들과 거의 동시에 16메가 D램 개발에 성공했습니다. 후발주자였던 삼성이 선두주자들을 따라잡을 수 있었던 이유가 트렌치 공법 대신 스택 공법을 선택했기 때문이라고 많은 이들이 얘기합니다.

그렇게 삼성은 안정적으로 체제 변화가 이뤄지고 점점 더 성장해가는 듯 보였습니다.

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